محاسبه دینامیکی حالت های اسپینی، زیرشبکه و داخلی الکترون پی در گرافین تک لایه

thesis
abstract

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های کربن، گرافین پیشنهاد شده است. توسعه اسپینترونیک برپایه گرافین متکی به خواص منحصر به فرد آن است. از جمله این خواص انتقال اسپین در دمای اتاق، طول واهلش اسپینی طولانی، انتقال اسپین قابل تنظیم و غیره می باشد. طول واهلش اسپین درگرافین بسیار طولانی (درحدود 2میکرومتر)است که امکان استفاده از گرافین را به عنوان یک دستگاه فیلتر اسپینی فراهم می کند. دراین رساله ما رفتار دینامیکی مولفه های اسپین الکترون، برای یک ورقه گرافین که به روی بسترهای مختلف رشد داده شده است، را بررسی می کنیم. درانجام این کار ،با در نظر گرفتن اثر راشبا و میدان مغناطیسی عملگر تحول زمانی را محاسبه و از آن مقادیر چشمداشتی مولفه های اسپین را در ورقه گرافین به صورت تابعی از زمان به دست می آوریم. سپس ما نشان می دهیم که یکی از مولفه های اسپین در ورقه گرافین همیشه یک مقدار میانگین بسیار کوچکی دارد در حالیکه مولفه دیگر اسپین بین و نوسان می کند. ازسوی دیگر نشان می دهیم که مولفه اسپین عمودبرورقه گرافین (مولفه ) بین 0 و بدون مقادیر منفی، نوسان می کند. بنابراین نتیجه می گیریم که گرافین با جفت شدگی اسپین مدار راشبا به عنوان یک دستگاه فیلتر اسپینی عمل میکند.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بررسی حالت مقید الکترون در گرافین تک لایه گاف دار

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

15 صفحه اول

رسانش اسپینی گرافین گاف دار

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

full text

پراکندگی و ترابرد الکترون در صفحات تک لایه ای گرافین

کربن مادهی اولیه زندگی و پایه ای برای شیمی تمام موجودات زنده محسوب می شود. تنوع و انعطاف پیوندهای کربن باعث شده تا تعداد نا محدودی از ساختارهای مختلف با خصوصیات فیزیکی کاملاً متفاوتی از این عنصر در طبیعت وجود داشته باشد. بعد این ساختارهای متنوع به بارز بودن تفاوت های آنها کمک کرده است. یکی از این ساختارها که به صورت لایه ای از اتمهای کربن در یک شبکه شش وجهی منتظم آرایش یافته، گرافین است. تا چندی...

15 صفحه اول

مدل تحلیلی برای محاسبه تابع پذیرفتاری مغناطیسی در یک گاز الکترون آزاد قطبیده اسپینی

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری-‌‌‌ فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت ...

full text

پذیرفتاری اسپینی گرافین تک لایه تحت بر همکنش اسپین- مدار راشبا

ساختارهای گرافین تک لایه از جمله ساختارهایی می باشند که عرضی در حد یک اتم دارا هستند و در این ضخامت و حتی در ضخامت ها‎‎‎‎‎‎‎‎‎یی بالاتر از این حد بردار موج الکترونی در این راستا کاملا کوانتیزه بوده و بررسی دقیق این گونه از سیستم ها فقط در چارچوب مکانیک کوانتومی امکان پذیر می باشد. علاوه بر کوانتش بردار موج که مشخصه ی سیستم های نانومتری و مزوسکوپیک است. نوار انرژی گرافین نیز مشخصه ی بسیار مهمی ا...

15 صفحه اول

مدل تحلیلی برای محاسبه تابع پذیرفتاری مغناطیسی در یک گاز الکترون آزاد قطبیده اسپینی

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت به ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایه

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023